Молекулы позволят увеличить емкость флэш-памяти

Британские и испанские ученые предложили новые устройства для хранения памяти. В их основе лежат кластеры наноразмерных полиоксометаллатов. Использование нового материала позволяет существенно увеличить емкость обычной флэш-памяти. Это приводит к большей миниатюризации носителей информации, сообщают ученые в своей статье в журнале Nature.

Кластеры наноразмерных полиоксометаллатов
Изображение: Laia Vila Nadal, Felix Iglesias Escudero, Leroy Cronin, Cronin Group, School of Chemistry, University of Glasgow

Авторы предлагают заменить МОП-структуру, используемую в полупроводниках флэш-памяти, на кластеры полиоксометаллатов. В своей работе ученым удалось добиться ее успешного встраивания в память. Сама МОП-структура используется при производстве различных полупроводниковых приборов. Название является аббревиатурой от «металл-оксид-полупроводник», слои которых ее образуют.

Управление свойствами проводимости МОП-структуры осуществляется при помощи подачи напряжения на ее электрод (затвор). Идея ученых заключается в том, что они модифицировали оксидный слой МОП-структуры, добавив в него наноразмерные полиоксометаллаты.

Lenta.ru